集电极最大允许电流
在常温下,小功率锗管的人切一般在几百微安以下,小功率硅管在几微安以下。集电极最大允许电流。如果集电极电流过大.电流放大系数p值就要下降一般把尹值下降到规定允许值(比如额定值的1/2-2/3)时的集电极电流,叫做集电极最大允许电流。
(1)集电极发射极击穿电压BV。和BVo "集电极和发射极之间加上的反向电压太高,晶体管就会被击穿。BVc。是指荃极开路时集电极发射极反向击穿的电压" BVca是指基极和发射极之间接有电阻时集电极发射极反向击穿的电压。一般来说,BVCRR > BVCR0。当温度升高的时候,击穿电压要下降.因此,实际加在晶体管集电极发射极上的电压‘佣要小于BVCRn,一般取BV,。的二分之一比较安全。
(2)集电极最大允许耗散功率PCK。晶体管工作的时候,集电极要耗散功率,耗散的功率越大,集电结的温度就越高。根据晶体管允许的最高温度,定出集电极最大允许耗散功率,在应用的时候,注意集电极实际耗散功率要小于集电极最大允许耗散功率,也就是说,Uce " Ic< PC,,。小功率管的PC,在几十毫瓦几百毫瓦之间,大功率管在1瓦上PC,是由温度决定的,为了提高Pcx,大功率管一般都安装散热片。
(3)特征颇率介.由于极间电容的影响,电流放大系数夕会随工作颇率的升高而下降,频率越高,尹下降越严重。特征频率fT是当B下降到1时的频率。也就是说,当频率升高到fT的时候,晶体管失去放大能力。了,的大小反映了晶体管频率特性的好坏。在高频电路中.要选用特征频率较高的管子,特征频率一般比工作颇率至少高3倍以上。