制作计算机所使用的大型积体电路，是使用金属一氧化一半导体的技术。如果把一电极靠近半导体物质的表面，然后把电压加于电极上会改变半导体物质表面的导电性质，这种效应称为表面场效应，也就是构成MOS电晶体的基本现象。

半导体物质或基质可以为P型也可以为N型矽晶片。于晶体成长过程中在纯矽中加入少许的杂质就可以形成P—型矽晶，通常是加入硼。由于可移动的正电荷使矽变为半导体。正电荷的发生是由于矽原子的最外层失去了一个电子，此种正电荷通常称为电洞。由相同的原理N—型矽亦可由纯矽晶中加入磷而得，磷可于矽原子的最外层留下一可移动的电子。因此N—型矽的导电是由于可移动的负电荷构成。如果采用P—型的矽晶片，则须在基质中扩散两个N区，使此两区域变为N—型。电极的位置在两个N区之间，并由一薄层的介质（通常为氧化矽）与基质绝缘，介质的厚度在1000与1500之间。只要于电极上加一负电压，则由于负电场的吸引力就会在P—型矽的表面累积正电荷，如果电压继续增加，则表面将带一层可移动的负电荷——电子，这样表面则由P—型矽反转为N—型矽。这种反转的现象在两N—区之间产生一导电的N—通道，使电流可以流通，上面所说的两个N区分别称为源极与浅极，上面的构造是N—通道MOS电晶体。如果在N—型基质扩散两个P区，则可形成P—通道MOS电晶体，这时如果要产生P—通道，则须于电极加以负电压，于表面产生带正电荷的通道。