硅光电池的主要参数有    
 

     当硅光电池受到光线照射时，光子便与硅原子中的电子发生碰撞，使电子离开原来的位置，成为自由电子.而电子原来的位置就成为空穴。由于PN结处存在结电场，运动到PN结附近的电子被拉向N区，空穴被拉向P区，于是在N,P两区就形成了电子和空穴的集累，使N区和P区两端产生电动势。这就是光生伏特效应。当有负载通过上电极引线和背电极引线接到电他片上时，就有电流流过。

    硅光电池的主要参数有:

    1.开路电压VOC为450--600毫伏。

    2.每一平方厘米硅光电池的短路电流为16-30毫安.

    3.转换效率n为6-12%.

    测量这几项参数时，把硅光电池置于光源的照射下，在光电池两极接上高内阻直流毫伏表，测得的电压即为开路电压;把低内阻电流表连到硅光电池的两极上，测得的电流即为短路电流;单位面积的硅光电池的最大输出功率与垂直入射到光电池表面上的入射光功率之比为硅光电池的转换效率。

    这些参数应以赤道附近太阳直射地区的海平面的太阳光源实测而得，那里太阳光的强度约为100毫瓦/厘米，。生产厂家一般用·28500K色温的碘钨灯或钡钨灯作光源进行测量。